渦流法電阻率測試儀特點：

樣品尺寸：2"-8"或者16mm×16mm的方形樣品；

遷移率測量范圍：100-20000（cm2/v.sec)；

方塊電阻測量范圍：100-3000（ohm/sq)；

載流子面密度測量范圍：1E11-1E14（cm-2）；

電磁鐵磁場強度：1.0T

探頭線圈直徑：15mm

專注于非接觸式半導體計量分析技術(shù)的開發(fā)和生產(chǎn)，攻克被國外卡脖子技術(shù)。產(chǎn)品廣泛應用于半導體、光伏、科研以及平板材料測試領(lǐng)域。借助公司*計量分析測試技術(shù)，為晶圓、碳化硅、硅片、封裝測試等生產(chǎn)和品質(zhì)監(jiān)控，提供一整套完整測試和解決方案。

晶圓電阻率測試儀，硅片電阻率測試儀，渦流法低電阻率分析儀，晶錠電阻率分析儀，遷移率（霍爾）測試儀，少子壽命測試儀。

電阻有一個特性，即任意大小的正方形測量值都是一樣的，不管邊長是1米還是0.1米，它們的方阻都是一樣，這樣方阻僅與導電膜的厚度等因素有關(guān)，表征膜層致密性，同時表征對熱紅外光譜的透過能力，方塊電阻測量數(shù)值愈大，則隔離熱紅外性能越差，方塊電阻測量數(shù)值愈小則隔離熱紅外性能越好，對于建筑行業(yè)來講低輻射玻璃的熱紅外性能測量的快速測量就必須選用方塊電阻測量儀，測量值愈小則建筑材料就愈節(jié)能，在建筑材料行業(yè)具有很大的作用。

渦流法電阻率測試儀技術(shù)參數(shù)：

PN測試原理

用能量大于半導體材料禁帶寬度的單色光照射在半導體材料表面，在其內(nèi)部產(chǎn)生電子-空穴對，受濃度梯度驅(qū)動擴散至半導

體材料近表面空間電荷區(qū)的電子和空穴將被自建電場分離，形成光生電壓，即表面光電壓。

N型和P型半導體材料在光誘導下，表面勢壘高度的變化過程

與進口儀器相關(guān)性及重復性對比（來源于客戶測試）
電阻率探頭——相關(guān)性系數(shù)R2=0.9996

電阻率探頭——穩(wěn)定性

光伏探頭——穩(wěn)定性（該產(chǎn)品在光伏領(lǐng)域已成功上市，穩(wěn)定測試超過20億片）

高值樣品九域測試結(jié)果

出廠檢測報告