我們相信優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品是信譽的保證！
致力于成為優(yōu)秀的解決方案供應(yīng)商！
2024-11-14 2024-10-17 2025-08-28 2024-11-16 非接觸方阻測試儀在半導(dǎo)體材料的研發(fā)和生產(chǎn)中的作用
2024-11-13 產(chǎn)品中心/ products
半導(dǎo)體材料根據(jù)時間先后可以分為三代。第一代為鍺、硅等普通單質(zhì)材料，其特點為開關(guān)便捷，一般多用于集成電路。第二代為砷化鎵、磷化銦等化合物半導(dǎo)體，主要用于發(fā)光及通訊材料。第三代半導(dǎo)體主要包括碳化硅、氮化鎵等化合物半導(dǎo)體和金剛石等特殊單質(zhì)。憑借優(yōu)秀的物理化學(xué)性質(zhì)，碳化硅材料在功率、射頻器件領(lǐng)域逐漸開啟應(yīng)用。
產(chǎn)品型號：廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家更新時間：2025-06-28訪 問 量：649
立即咨詢
聯(lián)系電話：
半導(dǎo)體材料根據(jù)時間先后可以分為三代。第一代為鍺、硅等普通單質(zhì)材料，其特點為開關(guān)便捷，一般多用于集成電路。第二代為砷化鎵、磷化銦等化合物半導(dǎo)體，主要用于發(fā)光及通訊材料。第三代半導(dǎo)體主要包括碳化硅、氮化鎵等化合物半導(dǎo)體和金剛石等特殊單質(zhì)。憑借優(yōu)秀的物理化學(xué)性質(zhì)，碳化硅材料在功率、射頻器件領(lǐng)域逐漸開啟應(yīng)用。
第三代半導(dǎo)體耐壓性較好，是大功率器件的理想材料。第三代半導(dǎo)體主要是碳化硅和氮化鎵材料，SiC的禁帶寬度為3.2eV，GaN的禁帶寬度為3.4eV，遠超過Si的禁帶寬度1.12eV。由于第三代半導(dǎo)體普遍帶隙較寬，因此耐壓、耐熱性較好，常用于大功率器件。其中碳化硅已逐漸走入大規(guī)模運用，在功率器件領(lǐng)域，碳化硅二極管、MOSFET已經(jīng)開始商業(yè)化應(yīng)用。
按照電學(xué)性能的不同，碳化硅襯底可分為半絕緣型碳化硅襯底和導(dǎo)電型碳化硅襯底兩類，這兩類襯底經(jīng)外延生長后分明用于制造功率器件、射頻器件等分立器件。其中，半絕緣型碳化硅襯底主要應(yīng)用于制造氮化鎵射頻器件、光電器件等。通過在半絕緣型碳化硅襯底上生長氮化鎵外延層，制得碳化硅基氮化鎵外延片，可進一步制成HEMT等氮化鎵射頻器件。導(dǎo)電型碳化硅襯底主要應(yīng)用于制造功率器件。與傳統(tǒng)硅功率器件制作工藝不同，碳化硅功率器件不能直接制作在碳化硅襯底上，需在導(dǎo)電型襯底上生長碳化硅外延層得到碳化硅外延片，并在外延層上制造肖特基二極管、MOSFET、IGBT等功率器件。
返回列表
與我們產(chǎn)生合作，還原您產(chǎn)品藍圖里應(yīng)有的樣子!
立即聯(lián)系我們
Copyright ©2026 九域半導(dǎo)體科技（蘇州）有限公司 All Rights Reserved 備案號：蘇ICP備2023057191號-2
技術(shù)支持：化工儀器網(wǎng) 管理登陸 sitemap.xml
您的位置：
